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美洲投资项目
  • 项目名称:氮化镓(GaN)功率晶体管设计及制造
  • 编号:AM2258
  • 投资类型:其他
  • 所属行业:材料
  • 所在地区:
项目描述:

  公司或机构名称:多伦多大学

  网址:tnfc.utoronto.ca; http://www.vrg.utoronto.ca/~ngwt/

  联系人:Wai Tung Ng

  职位:教授

  联系电话:+1 416 978 6249

  电子邮件:ngwt@vrg.utoronto.ca

  公司或机构简介:多伦多纳米制造中心(TNFC)是一个位于多伦多大学的跨学科的研究中心和服务中心。该中心拥有全球研究领导力通过给注册用户和客户提供先进的纳米设备,合作研究网络,先进的教育机会和信息交流活动。

  公司或机构性质:大学或学术社团

  项目名称:氮化镓(GaN)功率晶体管设计及制造

  项目领域:新材料

  项目简介及技术需求:氮化镓(GaN)功率晶体管有望成为下一代集成功率转换器的变革者。建立于功率MOSFET 的传统硅,在电力电子应用方面已经达到材料使用限度。氮化铝镓(AlGaN)/氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT),具有高击穿电场、高迁移率的二维电子气(2DEG),高电子饱和速率、低本征载流子密度,是成为高频率(10到100 MHz)、高效率(>90%)功率转换器的理想的候选者。这种材料的宽带隙和高导热性也允许GaN功率装置具有高结温(> 200°C),放宽了对昂贵的散热机制的需要。GaN在各种基板上的可用性,可以进一步降低制造成本,充分利用现有的制造设施。这个项目的重点是两个关键技术的发展,增强型(E模式)的GaN功率晶体管和集成GaN功率转换器的高速栅极驱动电路。

  知识产权形式:工艺要领、生产加工工艺

  合作方式:合作研发、股本投资、生产技术和设备转让